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丢掉ai芯片大单三星急了:准备改用对手sk海力士的技能

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快科技(Technology)3月13日消息,据媒体报道,有多名知情人士透露,随着芯片制造竞赛的升级,三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。

目前(Currently)市场对于HBM(高带宽存储)芯片的需求越来越大,然而与竞争对手SK海力士和美光相比,三星却失去了英伟达的大单。

分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。

分析师认为,三星HBM3芯片的良率表现并不理想(Ideal),仅维持在10-20%的水平;相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。

无奈之下,三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺,而非此前坚持的NCF技术。

知情人士称,三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单,还在与包括日本(Japan)长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。

但尽管如此,由于需要进行(Carry Out)更多的测试和优化,三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能达成量产。

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